BSEB Board Class 12th VVI Objective Question | Class 12th Chemistry Previous Year Question :- दोस्तों अगर आप लोग भी इस बार बिहार बोर्ड कक्षा 12वीं का परीक्षा देने वाले तो आप सभी को यहां कक्षा 12वीं का VVI Objective Question , Class 12th Chemistry Previous Year Question, class 12th physics model set questions PDF Download आप सभी को किसी भी माध्यम से मिलेगा तो नीचे दिए गए व्हाट्सएप एवं टेलीग्राम ग्रुप को जरूर ज्वाइन करें
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BSEB Board Class 12th VVI Objective Question
1. अनुचुम्बकीय पदार्थों में एक या एक से अधिक अयुग्मित इलेक्ट्रॉन होते हैं। ऐसे पदार्थ निम्नलिखित में कौन है ।
(a) Cu²+
(b) Cu+
(c) Ni 2+
(d) उपर्युक्त सभी
2. ब्रैग समीकरण है :
(a) n λ = d sin θ
(b) n λ = 2d sin θ
(c) n λ = 2d
(d) n λ = 2 d sin θ
3. बॉडी सेन्टर्ड क्युबिक एकक सेल में लैटिस बिन्दुओं की संख्या होती है :
(a) 4
(b) 3
(c) 2
(d) 1
4. सिम्पल क्युबिक एकक सेल की संकुलन क्षमता होती है ।
(a) 20%
(b) 30%
(c) 52%
(d) 62%
5. शॉट्की दोष के कारण ठोस का घनत्व :
(a) बढ़ जाता है
(b) घट जाता है
(c) शून्य हो जाता है
(d) इनमें से कोई नहीं
6. फ्रेंकेल तथा शॉटकी दोष होते हैं :
(a) नाभकीय दोष
(b) क्रिस्टल दोष
(c) परमाणु दोष
(d) अणु दोष
7. bcc एककल सेल की संकुलन क्षमता होती है :
(a) 58%
(b) 68%
(c) 78%
(d) 88%
8. FCC एकक सेल की संकुलन क्षमता होती है :
(a) 54%
(b) 64%
(c) 74%
(d) 84%
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9. फलक केन्द्रित घनीय जालक में एक एकक कोष्ठिका कितनी एकक कोष्ठिकाओं के साथ सहभाजित होती है :
(a) 8
(b) 4
(c) 2
(d) 6
10. एक क्रिस्टल में कितने प्रकार के क्रिस्टल जालक सम्भव है :
(a) 23
(b) 14
(c) 2
(d) 6
11. CH कैसा पदार्थ है ?
(a) अनुचुम्बकीय
(b) लौहचुम्बक
(c) प्रतिचुम्बकीय
(d) इनमें से कोई नहीं
12. FCC एक जालक में कितने परमाणु होते हैं ।
(a) 1
(b) 2
(c) 3
(d) 4
13. CSCI की क्रिस्टल संरचना है :
(a) SCC
(b) FCC
(c) BCC
(d) इनमें से कोई नहीं
14. निम्नलिखित आयनिक यौगिकों के क्रिस्टल में आप किसमें धनायनो तथा ऋणायनों के केन्द्रों में अधिकतम दूरी होगी :
(a) LiF
(b) CSF
(c) CSI
(d) Lil
15. p प्रकार के डोपित अर्द्ध-चालकों को प्राप्त करने में मिलाई गई अशुद्धि में संयोजी इलेक्ट्रॉनों की संख्या होगी :
(a) 3
(b) 2
(c) 1
(d) 5
16. Na2 O में सोडियम की उप-सहसंयोजन संख्या है :
(a) 6
(b) 4
(c) 8
(d) 2
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17. अन्तः केन्द्रित घनीय संरचना में उप-सहसंयोजन संख्या है.
(a) 18
(b) 8
(c) 12
(d) 4
18. X तथा Y तत्वों से निर्मित यौगिक घनीय संरचना में क्रिस्टलित होता है जिसमें X परमाणु घन के कोनों पर तथा y परमाणु फलक के 1/(9 – 5) * i पर उपस्थित है। यौगिक का सूत्र है :
(a) xy 3
(b) x3 y
(c) xy
(d) 1
19. डायमण्ड क्रिस्टल में प्रत्येक कार्बन परमाणु अन्य कार्बन परमाणुओं से जुड़ा रहता है। इनकी संख्या होती है
(a) 2
(b) 4
(c) 3
(d) 1
20. ट्रांजिस्टर सेटों के निर्माण में प्रयुक्त होने वाला तत्व है
(a) Al
(b) Si
(c) Cu
(d) Zn
21. क्रिस्टलीय ठोस के लिए सरल इकाई सेल, पिण्ड केन्द्रित इकाई सेल एवं फलक केन्द्रित इकाई सेल में प्रभावी परमाणुओं की संख्या क्रमश: हैं
(a) 1, 1, 1
(b)2,4,5
(c) 1, 2 and 3
(d) 1,2,4
22. इकाई सेल के लिए घनत्वों का बढ़ता हुआ क्रम है
(a) सरल सेल, पिण्ड केन्द्रित, फलक केन्द्रित
(b) फलक केन्द्रित, सरल सेल, पिण्ड केन्द्रित
(c) पिण्ड केन्द्रित, फलक केन्द्रित
(d) इनमें से कोई नहीं
23. NaCl, CSCl तथा Zns में धनायन तथा ऋणायन का समन्वय संख्या क्रमशः है
(a) 6, 6:4, 4 और 8, 8
(b) 6, 6:8, 8 और 4, 4
(c) 2, 2 : 5, 5 और 8, 8
(d) इनमें से कोई नहीं
24. Anion Vacancy में फँसे हुए इलेक्ट्रॉन को कहते हैं
(a) F-centre
(b) टेट्राहेड्रल होल
(c) आक्टाहेड्रल होल
(d) उपर्युक्त सभी
25. F-Centre युक्त क्रिस्टल होते हैं
(a) Coloured एवं Paramagnetic
(b) n-type अर्द्धचालक
(c) निश्चित द्विध्रुव आघूर्ण युक्त
(d) इनमें सभी
26. ताप वृद्धि के साथ किसकी विद्युत चालकता में कमी आती है।
(a) सुचालक (धातु)
(b) अर्द्धचालक
(c) कुचालक
(d) इनमें से कोई नहीं
27. वह ठोस जिसमें schottky एवं Frenkel defect दोनों पाया जाता है।
(a) AgCl
(b)AgBr
(c) Zns
(d) CSCI
28. क्रिस्टल का घनत्व घटता है
(a) Schottky defect
(b) Frenkel detect
(c) दोनों में
(d) इनमें से कोई नहीं
29. Frenkel defect के संबंध में कौन कथन सही है ?
(a) घनत्व अपरिवर्तित रहता है
(b) परावैद्युतांक (Dielectric constant)
(c) आयन का निम्न समन्वय संख्या एवं निम्न धनायन साइज
(d) इनमें सभी
30. Frenkel defect में Interstitial site में फँसता है.
(a) धनायन (cation)
(b) ऋणायन (Anion)
(c) दोनों
(d) इनमें से कोई नहीं
31. निम्नलिखित में से किस धातु की समन्वय संख्या 8 होती है ?
(a) K
(b) Fe
(c) Zn
(d) Au
32. किस क्रिस्टल संरचना में सीमित पैकिंग अधिकतम होता है
(a) सरल घन इकाई सेल (SCC)
(b) फलक केन्द्रित सेल (FCC)
(c) पिण्ड केन्द्रित सेल ( bcc )
(d) इनमें से कोई नहीं
33. FCC या hCP या CCP में पैकिंग दक्षता तथा void की प्रतिशतता है।
(a) 74,26
(b) 68,32
(c) 70, 30
(d) इनमें से कोई नहीं
34. क्रिस्टल में समन्वय संख्या में वृद्धि होती है।
(a) ताप वृद्धि से
(b) दाब वृद्धि से
(c) दोनों से
(d) इनमें से कोई नहीं
35. डायमण्ड (हीरा) में पैकिंग दक्षता एवं void (खाली स्थान) की प्रतिशतता है
(a) 34 एवं 66
(b) 70 एवं 30
(c) 80 एवं 20
(d) 50 एवं 30
36. FCC संरचना में प्रतिपरमाणु / आयन की संख्या है ।
(a) 2
(b) 4
(c) 8
(d). 1
37. निम्न में किसमें Frenkel defect है
(a) Sodium chloride
(b) Graphite
(c) Diamond
(d) Silver bromide
38. क्रिस्टल में Schottky defect पाया जाता है, जब
(a) समान संख्य में धनायन तथा ऋणायन गायब होता है
(b) असमान संख्या में धनायन तथा एनायन गायब होता हैं
(c) आयन interstitial sites में फँसता है
(c) क्रिस्टल का घनत्व बढ़ता है
39. क्रिस्टल में स्थान जालक (space lattice) की संख्या होती है।
(a) 20
(b) 14
(c) 230
(d) 13
40. सोडियम तथा पोटाशियम क्रिस्टलीकृत संरचना है
(a) FCC
(b) BCC
(c) SCC
(d) Triclinic
41. निम्न में कौन Ferroeiectric पदार्थ है
(a) Na-K टारटेरेट (रोचले लवण)
(b) पोटाशियम हाइड्रोजन फॉस्फेट
(c) बेरियम टिटनेट
(d) इनमें सभी
42. लेंड जिरफोनेट (PbZO) है
(a) Antiferroelectric
(b) Ferroelectric
(c) Diamagnetic
(d) Paramagnetic
43. घनीय संरचना में परमाणु A कोना पर तथा B फलक के केन्द्र पर है। यौगिक का सूत्र है
(a) AB
(b) AB3
(c) AB2
(d) A2B2
44. घनीय क्रिस्टल में element symmetry की संख्या होती है।
(a) 24
(b) 14
(c) 23
(d) 50
45. किसी घनीय क्रिस्टल के लिए इकाई सेल का किनारा 450 pm है तो 221 तल के लिए inter planar distance का मान होगा
(a) 1.5 × 10-8 cm
(b) 1.0 x 10 – 3
(c) 2.3 × 10-10
(d) इनमें कोई नहीं
46. NaCl में SrCl2 के 10– 3 % मोल को डाल दिया गया तो उत्पन्न cation vacancy की संख्या होगी
(a) 6.023 × 1023
(b) 6.0323 × 1018
(c) 2.2 x 1020
(d) 5.5 x 1010
47. BaSO के जल में घुलनशीलता का कारण है
(a) उच्च जालक ऊर्जा
(b) विखण्डन ऊर्जा
(c) निम्न जालक ऊर्जा
(d) आयनिक बंध
48. CCP के लिए Octahedral तथा Tetrahedral void की संख्या क्रमश: है ।
(a) 4, 8
(b) 8,4
(c)4,4
(d) 4,6.
49. ZnO को गर्म करने पर विद्युत चालकता पर क्या प्रभाव पड़ता है
(a) घटता है
(b) बढ़ता है
(c) कभी घटता है तो कभी बढ़ता है
(d) अपरिवर्तित रहता है।
50. Crystal में तल सममितीय (Plane of Symmetry ) अक्ष सममितीय (Axis of symme try) तथा केन्द्र सममितीय (Centre of symmetry) की संख्या का अनुपात है
(a) 3:3:5
(b) 10:5:9
(c) 9:13:1
(d) 1:13:9
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